據(jù)媒體報道，2018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研制的5納米等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。5納米，相當于頭發(fā)絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，將成為集成電路芯片上的最小線寬。臺積電計劃2019年進行5納米制程試產(chǎn)，預計2020年量產(chǎn)。▲半導體器件工藝制程從14納米微縮到5納，等離子蝕刻步驟會增加三倍刻蝕機是芯片制造的關鍵設備之一，曾一度是發(fā)達國家的出口管制產(chǎn)品。中微半導體聯(lián)合創(chuàng)始人倪圖強表示，中微與科林研發(fā)(Lam Research)、應用材料(Applied Materials)、東京威力科創(chuàng)(Tokyo Electron Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies) 4家美日企業(yè)，組成了國際第一梯隊，為7納米芯片生產(chǎn)線供應刻蝕機。中微半導體如今通過臺積電驗證的5納米刻蝕機，預計能獲得比7納米更大的市場份額。中科院SP超分辨光刻機提問者所說的中國光刻機達到世界先進水平，應該是指2018年11月29日通過驗收的，由中國科學院光電技術研究所主導、經(jīng)過近七年艱苦攻關研制的“超分辨光刻裝備”項目。該項目下研制的這臺光刻機是“世界上首臺分辨力最高的紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備”。這是一種表面等離子體（surfaceplasma，SP）超分辨光刻裝備。▲中科院研制成功并通過驗收的SP光刻機該光刻機在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。結合雙重曝光技術后，未來還可用于制造10nm級別的芯片......中國的刻蝕機的確是達到了世界先進水平，光刻機還早，而且就算是這兩樣都世界先進了，不代表中國芯片業(yè)的前路就不艱辛了。目前中國的刻蝕機的確領先，5納米等離子體刻蝕機已經(jīng)通過臺積電驗證；但是光刻機就差多了，之前新聞報道中提到的“中科院SP超分辨光刻機”其實最多只能算是一個“原型機”，和ASML的光刻機不能相提并論，也不能用來制造芯片，還需要攻克一系列的技術難題退一步講，就算是中國的光刻機與刻蝕機都達到世界領先就解決問題了么？ASML的EUV光刻機我們已經(jīng)下單等待交貨了，是不是到貨以后中國就可以生產(chǎn)7nm甚至是5nm的芯片了不要把問題想簡單了，以為芯片也只有光刻機和刻蝕機。芯片制造的技術、經(jīng)驗、工藝以及人才是一個系統(tǒng)性的工程，臺積電也不是一天建成的，有了光刻機也不代表我們就能造出最頂尖的芯片。

謝謝您的問題。國產(chǎn)蝕刻機處于全球領先水平，但基本是中微半導體公司一枝獨秀。

刻蝕機技術領先。目前總體看，中微半導體的介質刻蝕機、硅通孔刻蝕機處于全球前三名。中微半導體的介質刻蝕機已經(jīng)被臺積電納入7nm、10nm制程生產(chǎn)線。刻蝕機制造工藝可以做到5nm，被臺積電驗證通過，比7nm有更大市場份額。中芯國際一半的刻蝕機都來自于中微半導體。

起點就不一樣。中微半導體是尹志堯、杜志游、倪圖強、等40多位半導體設備專家創(chuàng)辦了中微公司。尹志堯之前在美國已經(jīng)從事20多年的半導體業(yè)務，帶領科研團隊，2004年創(chuàng)辦中微半導體，這些人覆蓋了多國別、多專業(yè)，是技術研發(fā)致勝的關鍵，團隊已經(jīng)申請了1000多項專利。當時全球最先進的制程是90納米，中微半導體起步就研發(fā)40納米刻蝕機，提前了至少兩代。

蝕刻機是孤軍深入。蝕刻機是芯片制造的關鍵設備，雖然刻蝕機加工精度不斷提升，但是并不能意味我國芯片整體工藝制程大幅進步，我們必須有清醒的認識。

歡迎關注，批評指正。